磁性随机存储器（MRAM）
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领域：芯片半导体
平台：不详 坐标：北京市
官网：不详
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成立时间：2019-07-10
运营状态：不详
项目介绍
自旋磁性随机存储器（MRAM）是一种新兴的非易失存储器，与传统存储器不同，它采用电子的自旋属性表征数据信息，因而具备高速、低功耗、高密度、耐擦写和抗辐照等独特优势，被广泛认为是下一代非易失存储芯片的理想选择。公司采用协同自旋矩技术作为新一代自旋存储器的核心技术，研发、制备并生产MRAM芯片产品。
公司简介
- 致真存储致力于自旋磁性随机存储器（MRAM）研发与产业化，为该领域国内领先创新企业。成立之初获得中关村颠覆性技术项目支持，其自主研发的新一代MRAM突破性技术，得到了业界专家的认可。创始团队成员包括北航、法国巴黎萨克雷大学、日本北海道大学等知名高校的多名博士和来自世界知名半导体制造厂的资深技术专家；研发团队整体水平处于国际第一梯队并具备产业化经验。目前公司已完成数千万人民币天使轮股权融资。
北京市 致真存储（北京）科技有限公司
